韓國三星電子（Samsung Electronics）2009年7月20日宣布，基于40nm工藝的2Gbit DDR3型DRAM已經(jīng)開始量產(chǎn)。三星電子2009年1月完成了DRAM量產(chǎn)用40nm工藝技術(shù)的開發(fā)，并于同年2月應(yīng)用到了1Gbit DDR3型DRAM的量產(chǎn)中（參閱本站報(bào)道）。與采用50nm工藝相比，40nm工藝量產(chǎn)的生產(chǎn)效率可提高約60％。

　　三星電子此次量產(chǎn)的DRAM，其數(shù)據(jù)傳輸速度為較大1.6Gbit/秒。工作電壓為1.35V。采用新工藝生產(chǎn)的芯片，除了將面向服務(wù)器以16Gbit/8Gbit/4Gbit的RDIMM（Registered Dual In-line Memory Module）形式供應(yīng)外，還將作為面向工作站和臺式個人電腦的UDIMM（Unregistered Dual In-line Memory Module）以及面向筆記本電腦的SODIMM（Small Outline Dual In-line Memory Modules）以擴(kuò)大銷售。