適用于小型化且低功耗應(yīng)用的非易失性內(nèi)存

上海，2016年4月15日–富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出具業(yè)界較低運(yùn)行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品。

此FRAM產(chǎn)品采用I²C接口，能以較高3.4 MHz的頻率及1.8V至3.6V寬電源電壓運(yùn)行。此外，其平均電流極低，以3.4 MHz運(yùn)行時(shí)為170 μA；以1 MHz運(yùn)行時(shí)則為80 μA。

除了具業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)8引腳SOP（small outline package）之外，富士通還提供小型8引腳SON（small outline non-leaded package），其適用于低功耗小型化電子設(shè)備，例如以電池供電的可穿戴設(shè)備、測(cè)量設(shè)備及智能電表等產(chǎn)品。

富士通利用FRAM非易失性、快速寫入、高讀寫耐力及低功耗等特性，將其應(yīng)用于可穿戴設(shè)備市場(chǎng)和IoT市場(chǎng)的無(wú)電池解決方案。

目前為了滿足低功耗市場(chǎng)的需求，富士通開(kāi)發(fā)出其FRAM產(chǎn)品系列中具備較低運(yùn)行電流的64 Kbit FRAM—MB85RC64T（圖1）。

圖1：MB85RC64T封裝

該產(chǎn)品采用I²C接口，能以1.8V至3.6V的電源電壓及較高3.4 MHz的頻率運(yùn)行。其主要特性是運(yùn)行時(shí)的極低平均電流（3.4 MHz時(shí)為170 μA；1 MHz時(shí)為80 μA）。與現(xiàn)有的富士通產(chǎn)品相比，其運(yùn)行功耗降低近80%（圖2），為64 Kbit FRAM實(shí)現(xiàn)業(yè)界較低的運(yùn)行功耗。

圖2：器件功耗比較

除了業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)8引腳SOP之外，該產(chǎn)品還提供小型8引腳SON版本，其安裝面積約為SOP的20%（圖3）；安裝體積則為SOP的8%，適用于需要小型化的應(yīng)用。

圖3：安裝面積比較

MB85RC64T具有小型封裝且低功耗的特性，適用于電池供電可穿戴設(shè)備、測(cè)量設(shè)備、智能電表、天然氣表、水表等設(shè)備的內(nèi)存。

富士通將持續(xù)提供產(chǎn)品及解決方案，為客戶帶來(lái)更具價(jià)值且更便利的應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格

器件型號(hào)：MB85RC64T

內(nèi)存密度（組態(tài)）：64 Kbit（8K字符x 8位）

界面：I²C（Inter-Integrated Circuit）

運(yùn)行電壓：1.8v – 3.6 v

低功耗：有效電流170 μA（3.4MHz典型值）– 80 μA（1MHz典型值）

待機(jī)電流8.0 μA（Typ）

保證讀/寫周期：10兆次

數(shù)據(jù)保留：10年（85℃時(shí)）

封裝：8引腳SON，8引腳SOP

相關(guān)鏈接

富士通電子網(wǎng)站：http://www.fujitsu.com/cn/products/devices/semiconductor/

FRAM網(wǎng)站： http://www.fujitsu.com/cn/products/devices/semiconductor/memory/fram/index.html

MB85RC64T：http://www.fujitsu.com/global/products/devices/semiconductor/memory/fram/lineup/i2c-64k-mb85rc64t.html

MB85RC64T數(shù)據(jù)：https://edevice.fujitsu.com/fj/DATASHEET/e-ds/MB85RC64T-DS501-00042-0v01-E.pdf