容U.DMA 6的工業(yè)用CompactFlash存儲(chǔ)卡和高可靠性RA8系列固態(tài)硬盤
通過內(nèi)置TDK GBDriver RA8 NAND控制器制造出高速、長(zhǎng)壽命、高可靠性的
CFG8A CompactFlash存儲(chǔ)卡和SDG8A系列HD兼容閃存盤
TDK公司2008年11月17日宣布，將于2008年12月開始銷售兼容U.DMA 6的CFG8A系列工業(yè)用CompactFlash（CF）存儲(chǔ)卡和兼容并行ATA（PATA）模式的SDG8A系列固態(tài)硬盤（SSD），較大容量高達(dá)16 Gbyte。
這些產(chǎn)品將TDK獨(dú)創(chuàng)的NAND閃存控制器（兼容GBDriver RA8 U.DMA 6）與高速、高頻寫入單層單元（SLC）NAND閃存相結(jié)合，從而打造出業(yè)內(nèi)較先進(jìn)的NAND閃存卡，在高速性能、耐用性及高可靠性方面邁上了新臺(tái)階。
此外，在高速訪問方面，讀訪問速度高達(dá)50 MB/秒，寫訪問速度高達(dá)30 MB/秒；這些產(chǎn)品提供了強(qiáng)大的ECC糾錯(cuò)功能（可達(dá)15 bit/扇區(qū)），具有較高的數(shù)據(jù)可靠性。由于大大降低了反復(fù)讀取數(shù)據(jù)可能出現(xiàn)誤碼和寫入數(shù)據(jù)掉電造成數(shù)據(jù)丟失的風(fēng)險(xiǎn)，這些高可靠性的CF存儲(chǔ)卡和SSD將成為工業(yè)和嵌入式應(yīng)用的較佳選擇。
這些產(chǎn)品還采用了TDK研發(fā)的先進(jìn)靜態(tài)損耗均衡功能，可使數(shù)據(jù)均勻地寫入閃存的所有存儲(chǔ)區(qū)，極大地提高了CompactFlash存儲(chǔ)卡和SSD的寫壽命。此外還對(duì)SMART（自動(dòng)監(jiān)測(cè)分析報(bào)告技術(shù)）進(jìn)行了改進(jìn)，可獲取TDK所特有的關(guān)于各存儲(chǔ)塊擦寫次數(shù)的SMART數(shù)據(jù)，因而能夠進(jìn)行系統(tǒng)量化評(píng)估并有助于操作和管理。
基本規(guī)格
|
系列 |
TDK CF (CompactFlash)存儲(chǔ)卡RA8系列 |
TDK PATA SSD (GBDisk)RA8系列 | ||
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型號(hào) |
CFG8A系列 |
SDG8A系列 | ||
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容量 |
128MB/256MB/512MB/1GB/ |
1GB/2GB/4GB/8GB/16GB | ||
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外形 |
CompactFlash I型 |
2.5英寸 | ||
|
板載存儲(chǔ)器 |
SLC（單層單元）NAND 閃存 | |||
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板載控制器 |
TDK GBDriver RA8 | |||
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接口 |
Ultra ATA 133 | |||
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數(shù)據(jù)傳輸模式 |
Ultra DMA模式0-6 |
Ultra DMA模式0-6 | ||
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多字節(jié)DMA模式0-4 | ||||
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PIO模式0-6 | ||||
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傳輸速率 |
讀（較大值） |
50MB/秒 | ||
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寫（較大值） |
30MB/秒 | |||
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糾錯(cuò)功能 |
8bit/扇區(qū)糾錯(cuò)（15bit/扇區(qū)糾錯(cuò)） | |||
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重寫壽命 |
有效塊數(shù)×100,000次， | |||
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抗震性 |
15 G（工作時(shí)） | |||
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抗沖擊性 |
1500 G（待機(jī)時(shí)） | |||
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MTBF（平均無故障時(shí)間） |
500,000小時(shí) | |||
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工作溫度范圍 |
0 – 70˚C（-40 - 85˚C 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)） | |||
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貯存溫度范圍 |
-25 ‐ 85˚C | |||
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貯存/工作濕度 |
0% - 90% RH（無冷凝） | |||
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供電電壓 |
3.3 V ±5%/5.0 V ±10% |
5 V ±10% | ||
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證書 |
CE, FCC | |||
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環(huán)境規(guī)范 |
符合RoHS指令 | |||
|
產(chǎn)地 |
臺(tái)灣 | |||
主要用途
主要用于多功能打印機(jī)（MFP）、數(shù)控機(jī)床設(shè)備、程控裝置與PLC、工廠自動(dòng)化觸摸工控機(jī)、觸屏顯示系統(tǒng)、嵌入式CPU板、銷售點(diǎn)（POS）終端、金融業(yè)務(wù)終端、ATM機(jī)及自助服務(wù)機(jī)終端、火車站設(shè)備、通信與廣播設(shè)備、安全與火災(zāi)檢測(cè)設(shè)備、數(shù)字標(biāo)牌、安全識(shí)別系統(tǒng)、成像與其他醫(yī)療設(shè)備、醫(yī)用PC、藥物熔點(diǎn)（POM）系統(tǒng)、行車記錄儀、汽車數(shù)據(jù)記錄器（如數(shù)字轉(zhuǎn)速表）、分析與測(cè)量?jī)x器，以及其他各種工業(yè)設(shè)備、醫(yī)學(xué)設(shè)備、汽車與嵌入式設(shè)備及社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)。
主要特性
1. 采用獨(dú)創(chuàng)的TDK GBDriver RA8 NAND閃存控制器IC
內(nèi)存控制器IC采用TDK研發(fā)的GBDriver RA8系列，確保了CompactFlash和SSD的性能和數(shù)據(jù)可靠性。通過采用較新的NAND規(guī)范和改進(jìn)控制器設(shè)計(jì)，TDK提高了NAND閃存盤的性能并確保各閃存版本兼容。這意味著同一個(gè)產(chǎn)品系列可滿足業(yè)界和嵌入式應(yīng)用的閃存需求，也可作為理想的升級(jí)換代成品。
2. 搭載SLC 閃存
通過采用高速、耐用的SLC NAND，TDK打造出專為工業(yè)用途和嵌入式應(yīng)用優(yōu)化的CompactFlash存儲(chǔ)卡和閃存盤，適用于高速數(shù)據(jù)寫訪問和高頻數(shù)據(jù)寫入。還可根據(jù)客戶需要提供采用多層單元（MLC）閃存的CF存儲(chǔ)卡和閃盤。
3. 高速訪問
兼容PIO模式0–6、多字節(jié)DMA模式0–4及Ultra DMA模式0–6。這些高速NAND存儲(chǔ)設(shè)備支持高達(dá)50 MB/秒的讀訪問速度和高達(dá)30 MB/秒的寫訪問速度。
4. 對(duì)所有塊進(jìn)行靜態(tài)損耗均衡
TDK創(chuàng)造了一種全新的靜態(tài)損耗均衡算法，可計(jì)算出所有內(nèi)存塊中各內(nèi)存塊的擦寫次數(shù)。此外定期對(duì)固定塊（如OS區(qū)和FAT區(qū)）進(jìn)行調(diào)整，以盡量延長(zhǎng)板載閃存的壽命，這也極大地增加了閃存存儲(chǔ)的重寫壽命。
TDK創(chuàng)造了一種全新的靜態(tài)損耗均衡算法，可計(jì)算出所有內(nèi)存塊中各內(nèi)存塊的擦寫次數(shù)。此外定期對(duì)固定塊（如OS區(qū)和FAT區(qū)）進(jìn)行調(diào)整，以盡量延長(zhǎng)板載閃存的壽命，這也極大地增加了閃存存儲(chǔ)的重寫壽命。
5. 斷電耐受性增強(qiáng)
TDK獨(dú)創(chuàng)的算法可全面預(yù)防并行錯(cuò)誤，例如在寫數(shù)據(jù)時(shí)發(fā)生斷電的情況下不讓錯(cuò)亂的數(shù)據(jù)寫入。
TDK獨(dú)創(chuàng)的算法可全面預(yù)防并行錯(cuò)誤，例如在寫數(shù)據(jù)時(shí)發(fā)生斷電的情況下不讓錯(cuò)亂的數(shù)據(jù)寫入。
6. 糾錯(cuò)和恢復(fù)
通過ECC校驗(yàn)（8 bit/扇區(qū)ECC和15 bit/扇區(qū)）提供糾錯(cuò)能力，并為將來的NAND閃存預(yù)留了空間�？刂破骺瑟�(dú)立選擇8 bit/扇區(qū)或15 bit/扇區(qū)的ECC校驗(yàn)。自動(dòng)恢復(fù)功能包括在反復(fù)讀取數(shù)據(jù)時(shí)自動(dòng)糾正位錯(cuò)誤（讀干擾錯(cuò)誤）。
通過ECC校驗(yàn)（8 bit/扇區(qū)ECC和15 bit/扇區(qū)）提供糾錯(cuò)能力，并為將來的NAND閃存預(yù)留了空間�？刂破骺瑟�(dú)立選擇8 bit/扇區(qū)或15 bit/扇區(qū)的ECC校驗(yàn)。自動(dòng)恢復(fù)功能包括在反復(fù)讀取數(shù)據(jù)時(shí)自動(dòng)糾正位錯(cuò)誤（讀干擾錯(cuò)誤）。
7. 其他功能
(a) 簇總數(shù)設(shè)置功能
可定制分配給數(shù)據(jù)區(qū)的邏輯塊數(shù)量。例如，可通過減少數(shù)據(jù)區(qū)邏輯塊的數(shù)量來提高閃存的可寫入次數(shù)。反之，如果應(yīng)用不需要長(zhǎng)壽命，可通過增加數(shù)據(jù)區(qū)邏輯塊的數(shù)量來加大存儲(chǔ)容量�？蓪HS設(shè)為任何值，以便于將其引入現(xiàn)有系統(tǒng)。
可定制分配給數(shù)據(jù)區(qū)的邏輯塊數(shù)量。例如，可通過減少數(shù)據(jù)區(qū)邏輯塊的數(shù)量來提高閃存的可寫入次數(shù)。反之，如果應(yīng)用不需要長(zhǎng)壽命，可通過增加數(shù)據(jù)區(qū)邏輯塊的數(shù)量來加大存儲(chǔ)容量�？蓪HS設(shè)為任何值，以便于將其引入現(xiàn)有系統(tǒng)。
(b) 保護(hù)（密碼）功能
采用ATA標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)功能，用戶可設(shè)置和取消密碼以保護(hù)重要數(shù)據(jù)。
采用ATA標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)功能，用戶可設(shè)置和取消密碼以保護(hù)重要數(shù)據(jù)。
(c) SMART命令支持
可通過SMART命令確定所有內(nèi)存塊的數(shù)據(jù)寫入（和擦除）次數(shù)，以便于確定NAND閃存狀態(tài)和相關(guān)管理。
可通過SMART命令確定所有內(nèi)存塊的數(shù)據(jù)寫入（和擦除）次數(shù)，以便于確定NAND閃存狀態(tài)和相關(guān)管理。
8. 解決方案支持
TDK自2000年開始自主研發(fā)和銷售GBDriver系列NAND閃存控制器IC，并依托其先進(jìn)技術(shù)為日本和國(guó)外客戶提供全面技術(shù)支持，包括派遣FAE——現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師（Field Application Engineer）和實(shí)施可靠性監(jiān)控工作，以滿足嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)在此方面的強(qiáng)烈需求。
TDK自2000年開始自主研發(fā)和銷售GBDriver系列NAND閃存控制器IC，并依托其先進(jìn)技術(shù)為日本和國(guó)外客戶提供全面技術(shù)支持，包括派遣FAE——現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師（Field Application Engineer）和實(shí)施可靠性監(jiān)控工作，以滿足嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)在此方面的強(qiáng)烈需求。
生產(chǎn)銷售計(jì)劃
●生產(chǎn)地點(diǎn)： 臺(tái)灣
●生產(chǎn)能力： 10,000個(gè)/月（生產(chǎn)初期）
●投產(chǎn)時(shí)間： 2008年12月
更多信息，請(qǐng)?jiān)L問：http://www.tdkchina.com/
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