針對線寬10奈米世代進行量產(chǎn)——分散供應(yīng)鏈風險。

Tanaka Holdings Co., Ltd.（總公司：東京都千代田區(qū)、執(zhí)行總裁：岡本英彌）發(fā)表，經(jīng)營田中貴金屬集團制造事業(yè)的田中貴金屬工業(yè)株式會社（總公司：東京都千代田區(qū)、執(zhí)行總裁：岡本英彌）在臺灣（新竹市）、韓國（仁川廣域市）及美國（康涅狄格州）設(shè)立用于次世代半導(dǎo)體微小化技術(shù)的薄膜材料（貴金屬前驅(qū)物（※1））的供應(yīng)據(jù)點，并于2012年7月內(nèi)開始供應(yīng)。

如此一來，對半導(dǎo)體主要廠商集聚的亞洲各國與美國當?shù)仡櫩投�言，與從日本輸出貴金屬前驅(qū)物相比，除了能縮減一半交期，顧客也能減少一半的前驅(qū)物總成本。同時，田中貴金屬工業(yè)已調(diào)配了三年份的貴金屬前驅(qū)物所使用的釕，因此能穩(wěn)定地供應(yīng)釕前驅(qū)物。另外，因可在各據(jù)點保管產(chǎn)品庫存，借此能分散產(chǎn)品供應(yīng)鏈（供給網(wǎng)）上所承受的自然災(zāi)害及社會基礎(chǔ)設(shè)施障礙的風險。

- 制造小于10奈米世代的半導(dǎo)體所需的釕前驅(qū)物

釕以作為半導(dǎo)體細微銅配線底材及DRAM（動態(tài)隨機存取記憶體）電容器電極等的材料而備受矚目。在邁向微小化的半導(dǎo)體市場中，目前以電路線寬30奈米（奈米為10億分之1公尺）世代為主流，從2012年起，將開始量產(chǎn)20奈米世代的次世代半導(dǎo)體，并將于2013年底開始量產(chǎn)10奈米世代的次世代半導(dǎo)體。

為了實現(xiàn)10奈米世代的細微配線，在各種微小化技術(shù)開發(fā)的過程中，各家半導(dǎo)體廠商商討著通過先鍍上具有低電阻且與銅相容性好的釕薄膜作為底材，再進行鍍銅，以改善鍍銅的深度性。田中貴金屬工業(yè)不僅開發(fā)、供應(yīng)作為微小化技術(shù)使用的化學氣相沉積法（CVD）（※2）及原子層沉積法（ALD）（※3）等成膜技術(shù)材料的各種釕前驅(qū)物，目前也已向各家半導(dǎo)體廠商進行樣品出貨。

釕前驅(qū)物交貨至海外時，以往都必須先在日本制造釕前驅(qū)物，再將填充于容器內(nèi)的釕前驅(qū)物運送至當?shù)仡櫩褪种校�因此從下訂單到交貨需�?0天左右。但通過本次在海外設(shè)立據(jù)點，可將在日本制造的前驅(qū)物，在各供應(yīng)據(jù)點填充至容器后加以庫存保管，如此即可將交期縮減至10天以內(nèi)。而且，由于輸送費用的低成本化，也可減少前驅(qū)物的成本，與以往的供應(yīng)體制相比，顧客也能減少一半的前驅(qū)物總成本。

- 調(diào)配3年份的釕，再利用制程也已完備

在價格競爭及技術(shù)競爭激烈的半導(dǎo)體業(yè)界，降低材料成本及保持穩(wěn)定供應(yīng)是不可欠缺的競爭條件。因應(yīng)本次開始實施當?shù)毓��?yīng)，田中貴金屬工業(yè)調(diào)配了3年份的貴金屬前驅(qū)物所使用的釕，確立了穩(wěn)定供應(yīng)釕前驅(qū)物的體制。而且，不將以往未作為有價物回收而逕行廢棄的釕前驅(qū)物復(fù)原成原料，而是精制為與新品相同品質(zhì)的釕前驅(qū)物。田中貴金屬工業(yè)建立了這再利用制程，并已取得專利。如此一來，不僅能減少20%左右的材料成本，也能降低貴金屬價格變動的風險，半導(dǎo)體廠商更能因此而降低制造半導(dǎo)體的總成本。

本公司以在2017年前使此釕前驅(qū)物年銷售額達到10億日元為目標。在商討今后以三處據(jù)點供應(yīng)用于微小化技術(shù)的白金及銥、鎳等其他成膜材料的同時，針對顧客的開發(fā)需求強化支持體制。