新器件提供極低導(dǎo)電損耗、極佳溫度穩(wěn)定性及高浪涌電流處理能力，用于計(jì)算及消費(fèi)應(yīng)用

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用于筆記本適配器或平板顯示器的開(kāi)關(guān)電源、反向電池保護(hù)電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件采用溝槽拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，提供優(yōu)異的低正向壓降及更低漏電流，因而導(dǎo)電損耗低及大幅提升的電路能效，幫助設(shè)計(jì)工程師符合高能效標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求，不會(huì)增加復(fù)雜度，例如無(wú)須同步整流。

此LVFR系列利用溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)，在正向偏置條件下提供更大的導(dǎo)電區(qū)，因而顯著降低正向壓降。在反向偏置條件下，此結(jié)構(gòu)產(chǎn)生“夾斷”(pinch-off)效應(yīng)，從而降低漏電流。跟平面型肖特基整流器不同，安森美半導(dǎo)體的溝槽型LVFR的開(kāi)關(guān)性能在-40 °C至+150 °C的整個(gè)工作結(jié)點(diǎn)溫度范圍內(nèi)都很優(yōu)異。

為了證明LVFR的優(yōu)勢(shì)，安森美半導(dǎo)體將其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)與標(biāo)準(zhǔn)的30 A、100 V平面型肖特基整流器進(jìn)行比較。基于65 W電源適配器測(cè)試的數(shù)據(jù)顯示，使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此顯著的能效提升使電源設(shè)計(jì)人員能夠符合規(guī)范要求，同時(shí)不增加方案的復(fù)雜度及成本，例如無(wú)須同步整流。

安森美半導(dǎo)體功率分立分部高級(jí)總監(jiān)兼總經(jīng)理John Trice說(shuō)：“我們的客戶力求其產(chǎn)品設(shè)計(jì)更高能效，面市已久的平面型肖特基整流器根本無(wú)法高性價(jià)比地提供溝槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在擴(kuò)展溫度范圍內(nèi)提供優(yōu)異正向壓降及反向漏電流性能，超出我們客戶提升電源能效的嚴(yán)格規(guī)格。”

安森美半導(dǎo)體新的LVFR器件及各自典型性能特性如下表所示：

關(guān)于安森美半導(dǎo)體

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們?cè)?/span>汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，既快速又符合高性價(jià)比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.onsemi.cn。