新器件提供極低導電損耗、極佳溫度穩定性及高浪涌電流處理能力，用于計算及消費應用

應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用于筆記本適配器或平板顯示器的開關電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉換器等應用。

新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件采用溝槽拓撲結構，提供優異的低正向壓降及更低漏電流，因而導電損耗低及大幅提升的電路能效，幫助設計工程師符合高能效標準規范要求，不會增加復雜度，例如無須同步整流。

此LVFR系列利用溝槽金屬氧化物半導體(MOS)結構，在正向偏置條件下提供更大的導電區，因而顯著降低正向壓降。在反向偏置條件下，此結構產生“夾斷”(pinch-off)效應，從而降低漏電流。跟平面型肖特基整流器不同，安森美半導體的溝槽型LVFR的開關性能在-40 °C至+150 °C的整個工作結點溫度范圍內都很優異。

為了證明LVFR的優勢，安森美半導體將其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)與標準的30 A、100 V平面型肖特基整流器進行比較。基于65 W電源適配器測試的數據顯示，使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此顯著的能效提升使電源設計人員能夠符合規范要求，同時不增加方案的復雜度及成本，例如無須同步整流。

安森美半導體功率分立分部高級總監兼總經理John Trice說：“我們的客戶力求其產品設計更高能效，面市已久的平面型肖特基整流器根本無法高性價比地提供溝槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在擴展溫度范圍內提供優異正向壓降及反向漏電流性能，超出我們客戶提升電源能效的嚴格規格。”

安森美半導體新的LVFR器件及各自典型性能特性如下表所示：

關于安森美半導體

安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰，既快速又符合高性價比。公司在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的世界一流、增值型供應鏈和網絡。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn。