采用PowerPAK^® SC-70封裝的器件的導(dǎo)通電阻低至16mΩ，占位面積為2mm x 2mm

賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 1 月 24 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET^® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK^® SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的較低導(dǎo)通電阻。

SiA427DJ在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下分別具有16mΩ、26mΩ、32mΩ和95mΩ的超低導(dǎo)通電阻。較接近的競(jìng)爭(zhēng)器件是具有8V柵源電壓等級(jí)的20V P溝道功率MOSFET，在4.5V、1.8V和1.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的導(dǎo)通電阻分別為25.8mΩ、41.1mΩ和63.2mΩ，分別比SiA427DJ高36%、37%和47%。與采用標(biāo)準(zhǔn)SC-70封裝的典型器件相比，在占用相同PCB面積的情況下，PowerPAK SC 70在相同環(huán)境條件下可處理的功率耗散多40%。

SiA427DJ所采用的超小尺寸PowerPAK SC-70封裝為小型手持式電子設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化。新器件可用做手機(jī)、智能手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、電子書(shū)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。

對(duì)于這些設(shè)備而言，SiA427DJ更低的導(dǎo)通電阻意味著可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通損耗，從而延長(zhǎng)兩次充電之間的電池壽命。器件在1.2V下的低導(dǎo)通電阻非常適合低總線電壓。當(dāng)電源線電壓波動(dòng)時(shí)，使用1.2V電源總線的應(yīng)用也能夠享受到MOSFET在1.5V和1.8V下低導(dǎo)通電阻的好處，讓SiA427DJ能夠發(fā)揮較佳的整體節(jié)能效果。

MOSFET經(jīng)過(guò)了100%的Rg測(cè)試，符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定和RoHS指令2002/95/EC。

新款SiA427DJ TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

VISHAY簡(jiǎn)介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無(wú)源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的較大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。